Категории
Самые читаемые книги
ЧитаемОнлайн » Справочная литература » Энциклопедии » Большая Советская энциклопедия (ГА) - БСЭ БСЭ

Большая Советская энциклопедия (ГА) - БСЭ БСЭ

Читать онлайн Большая Советская энциклопедия (ГА) - БСЭ БСЭ

Шрифт:

-
+

Интервал:

-
+

Закладка:

Сделать
1 ... 129 130 131 132 133 134 135 136 137 ... 175
Перейти на страницу:

  Соч.: Сечилмиш эсэрлэри. [Предисл. Заманова], Бакы, 1965.

  Лит.: Аз¶рбаjчан, здабиjjaты тарихи, ч. 2, Бакы, 1960.

  К. Талыбзаде.

Ганимед (малая планета)

Ганиме'д, малая планета № 1036, открыта в 1924 немецким астрономом У. Бааде, среднее расстояние от Солнца 2,66 астрономических единицы. Интересной особенностью является большой (26,3°) наклон и значительный (0,54) эксцентриситет орбиты.

Ганимед (мифологич.)

Ганиме'д, в древнегреческой мифологии прекрасный троянский юноша, из-за своей необыкновенной красоты похищенный Зевсом на Олимп, где он стал любимцем Зевса и виночерпием богов. Около 4 в. до н. э. появляется мотив похищения Г. орлом, которого ещё более поздняя античная традиция отождествляет с самим Зевсом. Похищение Г. — частый сюжет в изобразительном искусстве (произведения Леохара, Корреджо, Рембрандта, Торвальдсена и др.).

Леохар. «Ганимед». Римская копия оригинала 2-й пол. 4 в. до н. э. Ватикан.

Ганимед (спутник планеты Юпитер)

Ганимед, спутник планеты Юпитер, наибольший по размерам (диаметр около 5150 км ), четвёртый по расстоянию от планеты (1070 тыс. км ). Г. — один из четырёх больших спутников Юпитера, открытых в 1610 итальянским учёным Г. Галилеем.

Ганкель Герман

Га'нкель , Ханкель (Hankel) Герман (14.2.1839, Галле, — 29.8.1873, Шрамберг), немецкий математик, работал в Эрлангене и Тюбингене. Ему принадлежит ряд формул теории цилиндрических функций. Исследования Г. по основаниям арифметики содействовали развитию учения о кватернионах и общих гиперкомплексных числовых системах. Г. принадлежат работы по истории античной и средневековой математики.

  Соч.: Theorie der complexen Zahlensysteme, Lpz., 1867 (Vorlesungen uber die complexen Zahlen und ihre Funktionen, Tl 1); Zur Geschichte der Mathematik in Altertum und Mittelalter, Lpz., 1874.

Ганн Юлиус

Ганн, Ханн (Hann) Юлиус (23.3. 1839, Линц, — 1.10.1921, Вена), австрийский метеоролог. В 1874—97 и с 1900 профессор Венского университета, в 1877—97 директор австрийского метеорологического института. Один из основателей Австрийского метеорологического общества (1863) и журнала «Метеорологише цайтшрифт» («Meteorologische Zeitschrift»). Создал т. н. динамическую теорию циклонов, объясняющую их возникновение взаимодействием двух противоположных потоков воздуха. Занимался изучением климатов Земли, описал явление фена.

  Соч.: Handbuch der Klimatologie, 4 Aufl., Stuttg., 1932; Lehrbuch der Meteorologie, Bd 1—2, Lpz., 1939—51: в рус. пер. — Общее землеведение, СПБ, 1902 (совм. с Э. Брюкнером).

Ганна диод

Га'нна дио'д, полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте . Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нём возникает при достижении «критической» напряжённости поля (в арсениде галлия около 300 кв/м ). Для создания промышленных Г. д. используют арсенид галлия. Г. д. применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.

Ганна эффект

Га'нна эффе'кт, явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная вольтамперная характеристика имеет N-образный вид (рис. 1 ). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в 1963 в двух полупроводниках с электронной проводимостью: арсениде галлия (GaAs) и фосфиде индия (InP). Генерация происходит, когда постоянное напряжение V , приложенное к полупроводниковому образцу длиной l , таково, что электрическое поле Е в образце, равное Е = V/l, заключено в некоторых пределах Е1 £ E (E 2 . E1 и E 2 ограничивают падающий участок вольтамперной характеристики j (E), на котором дифференциальное сопротивление отрицательно. Колебания тока имеют вид серии импульсов (рис. 2 ). Частота их повторения обратно пропорциональна длине образца l .

  Г. э. связан с тем, что в образце периодически возникает, перемещается по нему и исчезает область сильного электрического поля, которую называют электрическим доменом. Домен возникает потому, что однородное распределение электрического поля при отрицательном дифференциальном сопротивлении неустойчиво. Действительно, пусть в полупроводнике случайно возникло неоднородное распределение концентрации электронов в виде дипольного слоя — в одной области концентрация электронов увеличилась, а в другой — уменьшилась (рис. 3 ). Между этими заряженными областями возникает дополнительное поле DE (как между обкладками заряженного конденсатора). Если оно добавляется к внешнему полю Е и дифференциальное сопротивление образца положительно, т. е. ток растет с ростом поля E , то и ток внутри слоя больше, чем вне его (Dj > 0). Поэтому электроны из области с повышенной плотностью вытекают в большем количестве, чем втекают в неё, в результате чего возникшая неоднородность рассасывается. Если же дифференциальное сопротивление отрицательно (ток уменьшается с ростом поля), то плотность тока меньше там, где поле больше, т. е. внутри слоя. Первоначально возникшая неоднородность не рассасывается, а, напротив, нарастает. Растет и падение напряжения на дипольном слое, а вне его падает (т. к. полное напряжение на образце задано). В конце концов образуется электрический домен, распределение поля и плотности заряда в котором изображены на рис. 4 . Поле вне установившегося домена меньше порогового E1 , благодаря чему новые домены не возникают.

  Так как домен образован носителями тока — «свободными» электронами проводимости, то он движется в направлении их дрейфа со скоростью v, близкой к дрейфовой скорости носителей вне домена. Обычно домен возникает не внутри образца, а у катода. Дойдя до анода, домен исчезает. По мере его исчезновения падение напряжения на домене уменьшается, а на всей остальной части образца соответственно растет. Одновременно возрастает ток в образце, т. к. увеличивается поле вне домена; по мере приближения этого поля к пороговому полю E1 плотность тока приближается к максимальной jmaкc (рис. 1 ). Когда поле вне домена превышает E1 , у катода начинает формироваться новый домен, ток падает и процесс повторяется. Частота n колебаний тока равна обратной величине времени прохождения домена через образец: n = v/l. В этом проявляется существенное отличие Г. э. от генерации колебаний в др. приборах с N-образной вольтамперной характеристикой, например в цепи с туннельным диодом , где генерация не связана с образованием и движением доменов и частота колебаний определяется ёмкостью и индуктивностью цепи.

  В GaAs с электронной проводимостью при комнатной температуре E1 ~3·103 в/см, скорость доменов v » 107 см/сек. Обычно используют образцы длиной l = 50—300 мкм, так что частота генерируемых колебаний n = 0,3—2 Ггц. Размер домена ~ 10—20 мкм. Г. э. наблюдался, помимо GaAs и InP, и в др. электронных полупроводниках: Ge, CdTe, ZnSe, InSb, а также в Ge с дырочной проводимостью. Г. э. пользуются для создания генераторов и усилителей диапазона сверхвысоких частот (см. Генерирование электрических колебаний ).

  Лит.: «Solid State Communications», 1963, v. 1, №4, p. 88-91: Гани Дж., Эффект Ганна, «Успехи физических наук», 1966, т. 89. в. 1, с. 147; Волков А. ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, там же, 1968, т. 96, в, 4, с. 633; Левинштейн М. Е., Эффект Ганна, «Зарубежная радиоэлектроника», 1968, № 10, с. 64; Левинштейн М. Е., Шур М. С., Приборы на основе эффекта Ганна, там же, 1970, в. 9, с. 58.

  А. Ф. Волков, Ш. М. Коган.

Рис. 3. Развитие электрического домена. Электроны движутся слева направо, против поля Е.

Рис. 4. Распределение электрического поля Е (сплошная кривая) и объёмного заряда r (пунктир) в электрическом домене.

1 ... 129 130 131 132 133 134 135 136 137 ... 175
Перейти на страницу:
На этой странице вы можете бесплатно скачать Большая Советская энциклопедия (ГА) - БСЭ БСЭ торрент бесплатно.
Комментарии
КОММЕНТАРИИ 👉
Комментарии
Аннушка
Аннушка 16.01.2025 - 09:24
Следите за своим здоровьем  книга супер сайт хороший
Татьяна
Татьяна 21.11.2024 - 19:18
Одним словом, Марк Твен!
Без носенко Сергей Михайлович
Без носенко Сергей Михайлович 25.10.2024 - 16:41
Я помню брата моего деда- Без носенко Григория Корнеевича, дядьку Фёдора т тётю Фаню. И много слышал от деда про Загранное, Танцы, Савгу...